[23p-31A-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:30 〜 13:45

[23p-31A-3] MBE法により成長したサファイア基板上α-(AlGa)₂O₃層の臨界膜厚

〇奥村 宏典¹ (1.筑波大数理)

キーワード：

サファイア,分子線エピタキシ,臨界膜厚

一般的に、バンドギャップエネルギー(E_g)の大きい固体材料は、高温高耐圧に優れる。低価格かつ大面積試料が入手可能なa-Al₂O₃(サファイア、E_g~9 eV)は有力材料の一つであるが、絶縁体として知られている。我々は、M面a-Al₂O₃基板を用いて、MBE法による高品質高Al組成a-(AlGa)₂O₃成長を行ってきた。本研究では、a-(AlGa)₂O₃層の臨界膜厚を調べた。