[23p-31A-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[23p-31A-4] Electrical characteristics of α-Ga₂O₃ grown on sapphire by MOCVD

〇Hironori Okumura¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:

Ga2O3,MOCVD,Electrical property

一般的に、バンドギャップエネルギー(E_g)の大きい固体材料は、高温高耐圧に優れる。低価格かつ大面積試料が入手可能なα-Al₂O₃(サファイア、E_g~9 eV)は有力材料の一つであるが、絶縁体として知られている。我々は、M面α-Al₂O₃基板を用いて高品質α-(AlGa)₂O₃成長を行ってきた。本研究では、MOCVD法を用いて成長したSiドープα-Ga₂O₃層の電気的特性を調べた。