[23p-31A-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:45 〜 14:00

[23p-31A-4] MOCVD法により成長したサファイア基板上α-Ga₂O₃層の電気的特性

〇奥村 宏典¹ (1.筑波大　数理)

キーワード：

酸化ガリウム,有機金属気相成長法,電気的特性

一般的に、バンドギャップエネルギー(E_g)の大きい固体材料は、高温高耐圧に優れる。低価格かつ大面積試料が入手可能なα-Al₂O₃(サファイア、E_g~9 eV)は有力材料の一つであるが、絶縁体として知られている。我々は、M面α-Al₂O₃基板を用いて高品質α-(AlGa)₂O₃成長を行ってきた。本研究では、MOCVD法を用いて成長したSiドープα-Ga₂O₃層の電気的特性を調べた。