[23p-31A-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[23p-31A-5] Thermodynamic study of (Al_xGa_1-x)₂O₃ growth by molecular beam epitaxy

〇Rie Togashi¹, Masataka Higashiwaki^2,3, Yoshinao Kumagai⁴ (1.Sophia Univ., 2.Osaka Metropolitan Univ., 3.NICT, 4.Tokyo Univ. of Agric. and Tech.)

Keywords:

(AlxGa1-x)2O3,Gallium Oxide,MBE

Ga₂O₃, 及び(Al_xGa_1-x)₂O₃混晶は、次世代パワーデバイス作製用材料として魅力的である。近年我々は、分子線エピタキシー(MBE)法によるc-In₂O₃, β-Ga₂O₃, α-Al₂O₃成長を熱力学的に検討し、その詳細な成長メカニズムを報告した。今回、VI族原料としてオゾンを用いたMBE法による(Al_xGa_1-x)₂O₃混晶成長について熱力学解析を用い検討したので報告する。