[23p-31A-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:00 〜 14:15

[23p-31A-5] MBE法による(Al_xGa_1-x)₂O₃結晶成長の熱力学的検討

〇富樫 理恵¹、東脇 正高^2,3、熊谷 義直⁴ (1.上智大理工、2.大阪公立大院工、3.情報通信研究機構、4.東京農工大院工)

キーワード：

(AlxGa1-x)2O3,酸化ガリウム,MBE

Ga₂O₃, 及び(Al_xGa_1-x)₂O₃混晶は、次世代パワーデバイス作製用材料として魅力的である。近年我々は、分子線エピタキシー(MBE)法によるc-In₂O₃, β-Ga₂O₃, α-Al₂O₃成長を熱力学的に検討し、その詳細な成長メカニズムを報告した。今回、VI族原料としてオゾンを用いたMBE法による(Al_xGa_1-x)₂O₃混晶成長について熱力学解析を用い検討したので報告する。