[23p-31A-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[23p-31A-6] Growth of α-(Al,Ga)₂O₃ Lattice Matched to α-Cr₂O₃

〇Riena Jinno¹, Takayoshi Oshima², Yuichi Oshima², Susumu Fukatsu¹ (1.UTokyo, 2.NIMS)

Keywords:

ultra-wide bandgap semiconductor,gallium oxide

α‑(Al,Ga)2O3は、超ワイドバンドギャップ材料であり、パワーデバイスや深紫外光デバイスへの応用が期待されている。α‑(Al,Ga)2O3はサファイア 基板上に成長可能であるが、低Al組成領域では大きな格子不整合度に起因する高密度の転位導入が課題である。一方で、α‑Cr2O3はα‑(Al_0.1Ga_0.9)₂O₃と格子整合し、低Al組成領域の高品質化に有効と考えられる。本研究では、α‑Cr2O3基板に格子整合したα‑(Al,Ga)2O3混晶薄膜の成長について報告する。