[23p-31A-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:15 〜 14:30

[23p-31A-6] α-Cr₂O₃基板に格子整合したα-(Al,Ga)₂O₃の成長

〇神野 莉衣奈¹、大島 孝仁²、大島 祐一²、深津 晋¹ (1.東大院総合文化、2.NIMS)

キーワード：

超ワイドバンドギャップ半導体,酸化ガリウム

α‑(Al,Ga)2O3は、超ワイドバンドギャップ材料であり、パワーデバイスや深紫外光デバイスへの応用が期待されている。α‑(Al,Ga)2O3はサファイア 基板上に成長可能であるが、低Al組成領域では大きな格子不整合度に起因する高密度の転位導入が課題である。一方で、α‑Cr2O3はα‑(Al_0.1Ga_0.9)₂O₃と格子整合し、低Al組成領域の高品質化に有効と考えられる。本研究では、α‑Cr2O3基板に格子整合したα‑(Al,Ga)2O3混晶薄膜の成長について報告する。