Presentation Information
[23p-31B-10][The 55th Young Scientist Presentation Award Speech] Shift current in single domain SnS crystal and control of local polarization by strain
〇Ryo Nanae1, Satsuki Kitamura1, Redhwan Moqbel2, Yih Ren Chang3, Kaito Kanahashi1, Tomonori Nishimura1, Kung-Hsuan Lin2, Kosuke Nagashio1 (1.UTokyo, 2.Academia Cinica, 3.RIKEN)
Keywords:
semiconductor,ferroelectric,2D-material
強誘電体における光起電力は古くからバルク光起電力効果(BPVE)として認識されていた．その後，BPVEは非中心対称性に起源するシフト電流(SC)と強誘電ドメイン界面に起源するドメイン壁光起電力効果(DW-PVE)の二つに整理された． BPVEはEg以上の起電力が達成可能なことから注目されている．二次元層状半導体においてもBPVEは研究されているが， SCとDW-PVEの関係性については議論されていない．本講演では強誘電体であるSnS結晶の光起電力を議論したい．