講演情報
[23p-31B-10][第55回講演奨励賞受賞記念講演] 単一ドメインSnS結晶におけるシフト電流と歪印可による局所分極制御
〇名苗 遼1、來村 颯樹1、Moqbel Redhwan2、張 益仁3、金橋 魁利1、西村 知紀1、林 宮玄2、長汐 晃輔1 (1.東大工、2.中研院、3.理研)
キーワード：
半導体,強誘電,二次元材料
強誘電体における光起電力は古くからバルク光起電力効果(BPVE)として認識されていた．その後，BPVEは非中心対称性に起源するシフト電流(SC)と強誘電ドメイン界面に起源するドメイン壁光起電力効果(DW-PVE)の二つに整理された． BPVEはEg以上の起電力が達成可能なことから注目されている．二次元層状半導体においてもBPVEは研究されているが， SCとDW-PVEの関係性については議論されていない．本講演では強誘電体であるSnS結晶の光起電力を議論したい．