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[23p-31B-11]Transition from p+ to n-type with layer number reduction in dilute Nb-doped WSe2
〇Kaito Kanahashi1, Tomonori Nishimura1, Keiji Ueno2, Kosuke Nagashio1 (1.U. Tokyo, 2.Saitama Univ.)
Keywords:
two-dimensional material,field effect transistor,transition metal dichalcogenide
元素置換した遷移金属ダイカルコゲナイドのキャリア極性は，①カルコゲン欠陥密度，②アクセプター準位，③コンタクト電極の仕事関数で決定される．意図的な電子注入のために，低仕事関数のBiを電極としたNbドープWSe2 FETを作製したところ，バルクはp+型特性を示す一方，薄層試料は電子ドープによるドレイン電流の立ち上がりを示した．WSe2のSe欠陥が比較的少ないことを考慮すると，NbドープWSe2 FETでは③の影響が強く示唆される．