講演情報
[23p-31B-11]希薄NbドープWSe2 FETにおける層数減少に伴うp+からn型への遷移
〇金橋 魁利1、西村 知紀1、上野 啓司2、長汐 晃輔1 (1.東大マテ工、2.埼玉大理工)
キーワード：
二次元材料,電界効果トランジスタ,遷移金属ダイカルコゲナイド
元素置換した遷移金属ダイカルコゲナイドのキャリア極性は，①カルコゲン欠陥密度，②アクセプター準位，③コンタクト電極の仕事関数で決定される．意図的な電子注入のために，低仕事関数のBiを電極としたNbドープWSe2 FETを作製したところ，バルクはp+型特性を示す一方，薄層試料は電子ドープによるドレイン電流の立ち上がりを示した．WSe2のSe欠陥が比較的少ないことを考慮すると，NbドープWSe2 FETでは③の影響が強く示唆される．