[23p-52A-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23p-52A-10] Degradation of electrical characteristics of SiC MOSFETs due to sacrificial oxidation

〇(B)Keiji Hachiken¹, Hiroki Fujimoto¹, Takuma Kobayashi¹, Hirohisa Hirai², Mitsuru Sometani^1,2, Mitsuo Okamoto², Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.AIST)

Keywords:

SiC,MOSFET,sacrificial oxidation

犠牲酸化条件を変化させたSiC MOSデバイスを作製し、電気特性評価を行うことで犠牲酸化がデバイス性能に与える影響を調査した。結果、SiC MOSキャパシタより評価した伝導帯近傍の界面準位密度分布は犠牲酸化の有無によらず一定であった。一方、SiC MOSFETの電界効果移動度は犠牲酸化を行うことで低下し、犠牲酸化に伴うSiC MOSFETの電気特性劣化を観測した。