[23p-52A-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[23p-52A-10] 犠牲酸化プロセスによる SiC MOSFET の電気特性劣化

〇(B)八軒 慶慈¹、藤本 博貴¹、小林 拓真¹、平井 悠久²、染谷 満^1,2、岡本 光央²、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大工・院工、2.産総研)

キーワード：

SiC,MOSFET,犠牲酸化

犠牲酸化条件を変化させたSiC MOSデバイスを作製し、電気特性評価を行うことで犠牲酸化がデバイス性能に与える影響を調査した。結果、SiC MOSキャパシタより評価した伝導帯近傍の界面準位密度分布は犠牲酸化の有無によらず一定であった。一方、SiC MOSFETの電界効果移動度は犠牲酸化を行うことで低下し、犠牲酸化に伴うSiC MOSFETの電気特性劣化を観測した。