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[23p-52A-12]Consideration on the cause of change of nitrogen incorporation kinetics at 4H-SiC/oxide interfaces by the concentration of rare earth elements in the oxide
〇Tatsumi Nakashima1, Takashi Onaya1, Koji Kita1 (1.Graduate School of Frontier Science, Univ. of Tokyo)
Keywords:
SiC,nitridation,NO annealing
NOアニール等により4H-SiC MOS界面に導入される窒素量が多いほど界面準位低減に効果があることが報告されている。これまで，絶縁膜の種類が窒素導入量に与える影響は明らかになっていない。そこで本研究では，希土類元素YやCeを導入した絶縁膜に着目し，それらの濃度が窒素導入量に与える影響を検討した。またその結果をに基づき，SiCへ窒素を取り込む界面反応や，絶縁膜中の物質輸送を議論する。