講演情報
[23p-52A-12]絶縁膜中の希土類元素の濃度による4H-SiC/絶縁膜界面への窒素導入現象の変化とその原因の考察
〇中島 辰海1、女屋 崇1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
キーワード：
SiC,窒化,NOアニール
NOアニール等により4H-SiC MOS界面に導入される窒素量が多いほど界面準位低減に効果があることが報告されている。これまで，絶縁膜の種類が窒素導入量に与える影響は明らかになっていない。そこで本研究では，希土類元素YやCeを導入した絶縁膜に着目し，それらの濃度が窒素導入量に与える影響を検討した。またその結果をに基づき，SiCへ窒素を取り込む界面反応や，絶縁膜中の物質輸送を議論する。