[23p-52A-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

5:15 PM - 5:30 PM JST(8:15 AM - 8:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23p-52A-16] Systematic investigation of oxygen-related defects in 4H-SiC by ab initio calculations

〇(M1)Sosuke Iwamoto¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹, Takuma Kobayashi¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:

SiC,ab initio calculation,oxygen-related defect

本研究では計算科学的手法に立脚し、SiC中における安定な酸素関連欠陥の系統的調査を行なった。計算にはVASPコードを用い、交換-相関汎関数にはSiCのバンドギャップを再現するHSE06汎関数を使用することで、高精度の計算結果を得た。計17種の欠陥構造に対して構造緩和計算を実行し、安定な欠陥の形態、形成エネルギー、欠陥準位等の諸特性を解明したのでこれを報告する。