講演情報
[23p-52A-16]第一原理計算に基づく4H-SiC中酸素関連欠陥の系統的調査
〇(M1)岩本 蒼典1、志村 考功1、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大院工)
キーワード：
SiC,第一原理計算,酸素関連欠陥
本研究では計算科学的手法に立脚し、SiC中における安定な酸素関連欠陥の系統的調査を行なった。計算にはVASPコードを用い、交換-相関汎関数にはSiCのバンドギャップを再現するHSE06汎関数を使用することで、高精度の計算結果を得た。計17種の欠陥構造に対して構造緩和計算を実行し、安定な欠陥の形態、形成エネルギー、欠陥準位等の諸特性を解明したのでこれを報告する。