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[23p-52A-17]Density control of color centers at the SiO2/SiC interface by low-temperature reoxidation process and its correlation with electrical characteristics
〇(M1)Kentaro Onishi1, Takato Nakanuma1, Kosuke Tahara2, Katsuhiro Kutsuki2, Takayoshi Shimura1, Heiji Watanabe1, Takuma Kobayashi1 (1.Osaka Univ., 2.Toyota Central R&D Labs., Inc.)
Keywords:
SiO2/SiC interface,single-photon emitters,quantum defects
本研究はSiO2/SiC界面における発光中心の生成条件を調査した。SiO2/SiC界面欠陥はパワーデバイス応用上の壁となっている一方で、高輝度なPL発光強度を示し、量子応用で重要な単一光子源として振る舞うことが確認されている。近年、密度制御として熱酸化界面の高密度欠陥を後熱処理で低減可能であることが報告されている。本研究では、予め欠陥の少ない界面を高温低酸素分圧酸化により形成し、追酸化を施すことで発光中心の密度制御を試みた。