講演情報
[23p-52A-17]低温追酸化によるSiO2/SiC界面発光中心の密度制御と電気特性との相関
〇(M1)大西 健太郎1、中沼 貴澄1、田原 康佐2、朽木 克博2、志村 考功1、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大院工、2.豊田中研)
キーワード：
SiO2/SiC 界面,単一光子源,量子欠陥
本研究はSiO2/SiC界面における発光中心の生成条件を調査した。SiO2/SiC界面欠陥はパワーデバイス応用上の壁となっている一方で、高輝度なPL発光強度を示し、量子応用で重要な単一光子源として振る舞うことが確認されている。近年、密度制御として熱酸化界面の高密度欠陥を後熱処理で低減可能であることが報告されている。本研究では、予め欠陥の少ない界面を高温低酸素分圧酸化により形成し、追酸化を施すことで発光中心の密度制御を試みた。