Presentation Information
[23p-52A-9]Defect formation in 4H-SiC induced by annealing under high-temperature and low oxygen partial pressure characterized by FT-IR
〇(D)Chuyang Lyu1, Takashi Onaya1, Koji Kita1 (1.GSFS, The Univ. of Tokyo)
Keywords:
SiC,ATR-FTIR,low oxygen partial pressure
高温・低酸素分圧のアニールは SiC MOSFET 作製プロセスにとって不可欠である。高温・低酸素 分圧アニールは SiC 基板中不純物の活性化をさせるだけでなく、基板中の熱酸化誘起の酸素欠陥の解消 、または SiC 基板に格子間炭素由来の深い準位(伝導帯下 0.84-1.1 eV)の導入も報告された。そちら の原因は明らかではないため、本研究では高温・低酸素分圧アニール後の SiC の微視的な構造解析がを行った。