講演情報
[23p-52A-9]高温・低酸素分圧下アニールによる 4H-SiC 中の欠陥生成の FT-IR による検出
〇(D)呂 楚陽1、女屋 崇1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
キーワード：
SiC,全反射赤外分光,低酸素分圧
高温・低酸素分圧のアニールは SiC MOSFET 作製プロセスにとって不可欠である。高温・低酸素 分圧アニールは SiC 基板中不純物の活性化をさせるだけでなく、基板中の熱酸化誘起の酸素欠陥の解消 、または SiC 基板に格子間炭素由来の深い準位(伝導帯下 0.84-1.1 eV)の導入も報告された。そちら の原因は明らかではないため、本研究では高温・低酸素分圧アニール後の SiC の微視的な構造解析がを行った。