[24a-12F-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)

[24a-12F-10] Recrystallization Model Analysis for Amorphous Morphology in Hydrocarbon-Molecular-Ion-Implanted Si Wafer Surface

〇kouji kobayashi^1,2, Ryosuke Okuyama¹, Takeshi Kadono¹, Ayumi Masada¹, Ryo Hirose¹, Akihiro Suzuki¹, Yoshihiro Koga¹, Koji Sueoka³, Kazunari Kurita¹ (1.SUMCO, 2.Grad. Sch. of Comput. Sci. and Sys. Eng., Okayama Pref. Univ., 3.Dept. of Inf. and Commun. Eng., Okayama Pref. Univ.)

Keywords:

molecular ion implantation,recrystallization

炭化水素分子イオン注入エピタキシャルSi基板では、高ドーズ量注入条件により重金属へのゲッタリング能力を向上できるが、表面に離散的または一様なアモルファス領域が形成されるため、そのアモルファス形態に応じた、結晶性回復熱処理が必要となる。本件では、X線光電子分光法を用いて表面の再結晶化挙動を評価し、Kolmogorov-Johnson-Mehl-Avramiの式による解析をおこない、離散的または一様なアモルファス領域が形成された、表面の再結晶化モデルを求めた。