講演情報
[24a-12F-10]炭化水素分子イオン注入Siウェーハ表面のアモルファス形態に対する再結晶化モデル解析
〇小林 弘治1,2、奥山 亮輔1、門野 武1、柾田 亜由美1、廣瀬 諒1、鈴木 陽洋1、古賀 祥泰1、末岡 浩治3、栗田 一成1 (1.SUMCO、2.岡山県大院情報系工、3.岡山県大情報工)
キーワード：
分子イオン注入,再結晶化
炭化水素分子イオン注入エピタキシャルSi基板では、高ドーズ量注入条件により重金属へのゲッタリング能力を向上できるが、表面に離散的または一様なアモルファス領域が形成されるため、そのアモルファス形態に応じた、結晶性回復熱処理が必要となる。本件では、X線光電子分光法を用いて表面の再結晶化挙動を評価し、Kolmogorov-Johnson-Mehl-Avramiの式による解析をおこない、離散的または一様なアモルファス領域が形成された、表面の再結晶化モデルを求めた。