Presentation Information
[24a-12F-11]Impact of Hydrogen on Strain Evolution at SiO2/Si Interface
〇Akihiro Suzuki1, Ryosuke Okuyama1, Koji Kobayashi1, Takeshi Kadono1, Ayumi Masada1, Ryo Hirose1, Yoshihiro Koga1, Kazutoshi Takahashi2, Kazunari Kurita1 (1.SUMCO CORPORATION, 2.Synchrotron Light Application Center, Saga Univ.)
Keywords:
SiO2/Si interface,Hydrogen,Strain
CMOSイメージセンサの高品質化には、フォトダイオードに近接するSiO2/Si構造における界面欠陥（Pbセンター）に起因するノイズ発生の抑制が必須である。先行研究で、Pbセンター密度の低減には、水素雰囲気熱処理やSiO2/Si系への応力印加が有効であることが示されている。その一方で、水素と応力の両方の影響の下でのPbセンターの挙動や、水素と応力の相互作用を議論している研究報告は極めて少ない。今回の研究により、SiO2/Si界面における歪状態が、Pbセンターに対する水素の吸着量に依存することが示唆された。