講演情報

[24a-12F-11]SiO2/Si界面における歪状態変化に対する水素の影響

〇鈴木 陽洋1、奥山 亮輔1、小林 弘治1、門野 武1、柾田 亜由美1、廣瀬 諒1、古賀 祥泰1、高橋 和敏2、栗田 一成1 (1.株式会社SUMCO、2.佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター)

キーワード:

SiO2/Si界面,水素,歪

CMOSイメージセンサの高品質化には、フォトダイオードに近接するSiO2/Si構造における界面欠陥(Pbセンター)に起因するノイズ発生の抑制が必須である。先行研究で、Pbセンター密度の低減には、水素雰囲気熱処理やSiO2/Si系への応力印加が有効であることが示されている。その一方で、水素と応力の両方の影響の下でのPbセンターの挙動や、水素と応力の相互作用を議論している研究報告は極めて少ない。今回の研究により、SiO2/Si界面における歪状態が、Pbセンターに対する水素の吸着量に依存することが示唆された。