[24a-12H-1~9] 6.1 Ferroelectric thin films

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[24a-12H-4] Fabrication of Al_1-xSc_xN/Si heterojunction by sputtering

〇Hiroto Yamada¹, Norifumi Fujimura¹, Takeshi Yoshimura¹ (1.Osaka Metro. Univ.)

Keywords:

ferroelectric,AlScN,FeFET

良好な半導体／強誘電体ヘテロ構想の実現を目的として、窒化物強誘電体材料であるAl_1-xSc_xN(AlScN)に着目している。AlScN/Siのヘテロ構造の作製については既に報告されているが、800℃程度の成長温度で行われておりFeFETへの適用は困難である。そこで本研究では、超高真空RFマグネトロンスパッタリング法を用いてSi上へのAlScNの低温成長について検討した。