[24a-12H-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

9:45 〜 10:00

[24a-12H-4] スパッタ法によるAl_1-xSc_xN/Siヘテロ構造の作製

〇山田 洋人¹、藤村 紀文¹、吉村 武¹ (1.阪公大工)

キーワード：

強誘電体,AlScN,FeFET

良好な半導体／強誘電体ヘテロ構想の実現を目的として、窒化物強誘電体材料であるAl_1-xSc_xN(AlScN)に着目している。AlScN/Siのヘテロ構造の作製については既に報告されているが、800℃程度の成長温度で行われておりFeFETへの適用は困難である。そこで本研究では、超高真空RFマグネトロンスパッタリング法を用いてSi上へのAlScNの低温成長について検討した。