[24a-12H-1~9] 6.1 Ferroelectric thin films

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)

[24a-12H-6] Increase of Sc solubility in AlN films by Ga substitution and their impact on ferroelectric and piezoelectric properties

Reika Ota¹, Shinosuke Yasuoka¹, Yoshiko Nakamura¹, Kazuki Okamoto¹, Hiroyuki Hara², Daiki Shono², Yoshihiro Ueoka², Masami Mesuda², 〇Hiroshi Funakubo¹ (1.Tokyo Tech., 2.Tosoh Corp.)

Keywords:

(Al,Ga,Sc)N

c軸方向に一軸配向したウルツ鉱構造を有する (Al,Sc)N膜は、その強誘電性および圧電性から精力的に研究されている。これら特性はSc/(Al+Sc)比の増加に伴って分極反転の抗電界(E_c)の減少や圧電性の向上が報告されている。従って、ウルツ鉱構造を維持しながらSc/(Al+Sc)比の固溶量を増やすことが特性向上には重要である。しかし、(Al,Sc)N膜では、Sc/(Al+Sc)比が0.45を超えてウルツ鉱構造を安定化させることは一般的には難しい。本研究では、Gaを添加し、(Al,Ga)Nとすることで、Scの固溶量の増加を試みたので報告する。