[24a-12H-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

10:30 〜 10:45

[24a-12H-6] Ga添加によるAlNへのSc固溶量の増加とその強誘電性および圧電性への影響

大田 怜佳¹、安岡 慎之介¹、中村 美子¹、岡本 一輝¹、原 浩之²、正能 大起²、上岡 義弘²、召田 雅実²、〇舟窪 浩¹ (1.東工大 物質理工学院、2.東ソー株式会社)

キーワード：

(Al, Ga, Sc)N

c軸方向に一軸配向したウルツ鉱構造を有する (Al,Sc)N膜は、その強誘電性および圧電性から精力的に研究されている。これら特性はSc/(Al+Sc)比の増加に伴って分極反転の抗電界(E_c)の減少や圧電性の向上が報告されている。従って、ウルツ鉱構造を維持しながらSc/(Al+Sc)比の固溶量を増やすことが特性向上には重要である。しかし、(Al,Sc)N膜では、Sc/(Al+Sc)比が0.45を超えてウルツ鉱構造を安定化させることは一般的には難しい。本研究では、Gaを添加し、(Al,Ga)Nとすることで、Scの固溶量の増加を試みたので報告する。