Presentation Information
[24a-31B-4]Atomic Layer Deposition of WS2 using n-BuNC-W(CO)5 as a W Precursor
〇Yukihito Nishi1, Hiroshi Yokota1, Hideaki Machida2, Masato Ishikawa2, Hiroshi Sudou2, Hitoshi Wakabayashi3, Ryo Yokogawa1,4, Naomi Sawamoto1,4, Atsushi Ogura1,4 (1.Meiji Univ., 2.Gas-phase Growth Ltd., 3.Tokyo Tech, 4.Meiji Renewable Energy Laboratory)
Keywords:
TMD,ALD,WS2
我々は遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の中でも二硫化タングステン(WS2)に着目し、CVD法を用いてWS2薄膜の作製を検証してきた。しかし、WS2の成長スピードが速く、CVD法では層数制御が上手く行えなかった。そこで、我々は低温成膜が可能な新規W原料を用いて、均一成膜かつ層数制御が可能なALD法を用いて層状のWS2膜の形成を試みた。また、トレンチなどの3次元構造においても均一成膜の可能性が高いALD成膜条件の探索を試みた。