講演情報
[24a-31B-4]W原料としてn-BuNC-W(CO)5を用いたALD法によるWS2の成膜
〇西 優貴人1、横田 浩1、町田 英明2、石川 真人2、須藤 弘2、若林 整3、横川 凌1,4、澤本 直美1,4、小椋 厚志1,4 (1.明治大理工、2.気相成長株式会社、3.東工大、4.明大MREL)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド,原子層堆積法,二硫化タングステン
我々は遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)の中でも二硫化タングステン(WS2)に着目し、CVD法を用いてWS2薄膜の作製を検証してきた。しかし、WS2の成長スピードが速く、CVD法では層数制御が上手く行えなかった。そこで、我々は低温成膜が可能な新規W原料を用いて、均一成膜かつ層数制御が可能なALD法を用いて層状のWS2膜の形成を試みた。また、トレンチなどの3次元構造においても均一成膜の可能性が高いALD成膜条件の探索を試みた。