[24a-52A-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[24a-52A-2] In-situ nanobeam X-ray diffraction of vertical power devices on OVPE-GaN substrates

〇Yusuke Hayashi¹, Tohei Tohei¹, Kazushi Sumitani², Yasuhiko Imai², Shigeru Kimura², Shigeyoshi Usami³, Masayuki Imanishi³, Yusuke Mori³, Akio Wakejima⁴, Hirotaka Watanabe⁵, Shugo Nitta⁵, Yoshio Honda⁵, Hiroshi Amano⁵, Akira Sakai¹ (1.Grad. Sch. Eng. Sci., Osaka Univ., 2.Grad. Sch. Eng., Osaka Univ., 3.JASRI, 4.NITech, 5.IMaSS Nagoya Univ.)

Keywords:

GaN,OVPE,XRD

酸化物気相成長法（OVPE）で作製した高導電性GaN基板は、成長中の酸素・シリコン不純物の取り込みにより10²⁰ cm^-3程度の高濃度キャリアを生成できるため、縦型パワーデバイスのオン抵抗を低減させる技術として注目されている。しかしながら、動作不能を引き起こすキラー欠陥の転位種は特定されておらず、その解明が求められている。本研究では、OVPE-GaN基板上pn接合ダイオード（PND）のその場ナノビームX線回折に取り組み、デバイス動作環境下での転位近傍の歪挙動を観察した。