[24a-52A-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:15 〜 9:30

[24a-52A-2] OVPE-GaN基板上縦型パワーデバイスのその場ナノビームX線回折

〇林 侑介¹、藤平 哲也¹、隅谷 和嗣²、今井 康彦²、木村 滋²、宇佐美 茂佳³、今西 正幸³、森 勇介³、分島 彰男⁴、渡邉 浩崇⁵、新田 州吾⁵、本田 善央⁵、天野 浩⁵、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工、2.JASRI、3.阪大院工、4.名工大、5.名大未来研)

キーワード：

GaN,OVPE,XRD

酸化物気相成長法（OVPE）で作製した高導電性GaN基板は、成長中の酸素・シリコン不純物の取り込みにより10²⁰ cm^-3程度の高濃度キャリアを生成できるため、縦型パワーデバイスのオン抵抗を低減させる技術として注目されている。しかしながら、動作不能を引き起こすキラー欠陥の転位種は特定されておらず、その解明が求められている。本研究では、OVPE-GaN基板上pn接合ダイオード（PND）のその場ナノビームX線回折に取り組み、デバイス動作環境下での転位近傍の歪挙動を観察した。