Presentation Information
[24a-52A-3]Thermal annealing behavior of nitrogen-displacement-related traps located at around EC – 1 eV introduced by EB irradiation in homoepitaxial n-type GaN
〇Meguru Endo1, Masahiro Horita1,2, Jun Suda1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS)
Keywords:
GaN,Defect,Annealing
GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，電子線照射を用いてGaN中に窒素原子変位を意図的に発生させ，形成される深い準位との相関を調べることに取り組んでいる．これまでに我々は，n型GaNにおいて窒素(N)変位(VN，NI)関連欠陥によりn型GaN中において伝導帯から1 eV付近に形成される電子トラップEE2を報告してきた．今回，n型GaN中のEE2のアニール挙動を評価し，アニールレートの活性化エネルギーを実験的に得ることに成功した．その結果，EE2に電子が捕獲された状態の活性化エネルギーは2.0 eV，電子が放出された状態の活性化エネルギーは2.3 eVであり，第一原理計算により予測されるNIのマイグレーションバリアと近い値を持つことを明らかにした．