[24a-52A-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:30 〜 9:45

[24a-52A-3] ホモエピタキシャル成長n 型GaNにおいて電子線照射によりE_C − 1 e V 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動

〇遠藤 彗¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

窒化ガリウム,欠陥,アニール

GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，電子線照射を用いてGaN中に窒素原子変位を意図的に発生させ，形成される深い準位との相関を調べることに取り組んでいる．これまでに我々は，n型GaNにおいて窒素(N)変位(V_N，N_I)関連欠陥によりn型GaN中において伝導帯から1 eV付近に形成される電子トラップEE2を報告してきた．今回，n型GaN中のEE2のアニール挙動を評価し，アニールレートの活性化エネルギーを実験的に得ることに成功した．その結果，EE2に電子が捕獲された状態の活性化エネルギーは2.0 eV，電子が放出された状態の活性化エネルギーは2.3 eVであり，第一原理計算により予測されるN_Iのマイグレーションバリアと近い値を持つことを明らかにした．