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9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[24a-52A-4]Identification of deep levels originating from nitrogen interstitial in homoepitaxial n-type GaN

〇Meguru Endo¹, Masahiro Horita^1,2, Jun Suda¹ (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:

GaN,Deep level,N atom displacement

GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，電子線照射を用いてGaN中に窒素原子変位を意図的に発生させ，形成される深い準位との相関を調べることに取り組んでいる．これまでに我々は，n型GaNにおいて窒素(N)変位(V_N，N_I)関連欠陥により形成される伝導帯から1 eV付近の電子トラップEE2の起源がN_Iである可能性が高いことを報告してきた．今回，EE2の電界依存性を明らかにするだけでなく，N_IがEE2より深いエネルギーに形成する準位 (EE3)を見出し，EE2の起源がN_I(0/−)であり，EE3の起源がN_I (+/0)であることを同定した．

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