講演情報
[24a-52A-4]ホモエピタキシャル成長n型GaN中の格子間窒素が形成する2つの準位の特定
〇遠藤 彗1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1 (1.名大院工、2.名大未来研)
キーワード：
窒化ガリウム,深い準位,窒素原子変位
GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，電子線照射を用いてGaN中に窒素原子変位を意図的に発生させ，形成される深い準位との相関を調べることに取り組んでいる．これまでに我々は，n型GaNにおいて窒素(N)変位(VN，NI)関連欠陥により形成される伝導帯から1 eV付近の電子トラップEE2の起源がNIである可能性が高いことを報告してきた．今回，EE2の電界依存性を明らかにするだけでなく，NIがEE2より深いエネルギーに形成する準位 (EE3)を見出し，EE2の起源がNI(0/−)であり，EE3の起源がNI (+/0)であることを同定した．