[24a-52A-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[24a-52A-7] Relationship between Effective Donor Density Variation and Electron Trap Density with Long Capture Time Constant in Oxygen Ion Implanted n-type GaN

〇Keisuke Hayashi¹, Masahiro Horita^1,2, Ryo Tanaka³, Shinya Takashima³, Katsunori Ueno³, Jun Suda^1,2 (1.Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., 2.IMaSS, 3.Fuji elec.)

Keywords:

power device,evaluation of point defect

酸素イオン注入したn型GaNにおいて, 捕獲時定数が極めて大きいトラップが存在し, このトラップの捕獲・放出により実効ドナー密度N_D,netの深さ分布が変動する現象を発見した. 確認されたN_D,netの変化量とトラップ密度は概ね一致しており, 酸素イオン注入をしていない試料ではN_D,net分布の変化は観測されなかった. また, トラップの捕獲時定数は4700 sであり, 一般的な電子トラップに対して極めて大きいと判明した.