[24a-52A-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[24a-52A-7] 酸素イオン注入n型GaNで観測される実効ドナー密度変動と長い捕獲時定数を持つトラップの関係性

〇林 慶祐¹、堀田 昌宏^1,2、田中 亮³、高島 信也³、上野 勝典³、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.富士電機)

キーワード：

パワーデバイス,点欠陥評価

酸素イオン注入したn型GaNにおいて, 捕獲時定数が極めて大きいトラップが存在し, このトラップの捕獲・放出により実効ドナー密度N_D,netの深さ分布が変動する現象を発見した. 確認されたN_D,netの変化量とトラップ密度は概ね一致しており, 酸素イオン注入をしていない試料ではN_D,net分布の変化は観測されなかった. また, トラップの捕獲時定数は4700 sであり, 一般的な電子トラップに対して極めて大きいと判明した.