Presentation Information
[24a-61B-5]Plasma-induced defects ~ SiO2/Si interface defect characterization through RIE-SiO2 process~
〇Shota Nunomura1, Takayoshi Tsutsumi2, Masanaga Fukasawa1, Masaru Hori2 (1.AIST, 2.Naogya Univ.)
Keywords:
RIE,SiO2,damage
先端半導体では、素子分離(STI)やゲートエッチ、コンタクトホールの形成に反応性イオンエッチング(RIE)が広く用いられる。このRIEでは、エッチングに必要なラジカルやイオンが制御され、設計上要求される加工形状や微細化が実現される。一方、直近のGAA-FET(gate-all-around field-effect transistor)等では、RIEにおける過剰なラジカル反応やイオン衝撃が下地層にダメージ（欠陥や不純物、アモルファス化等）を与え、デバイス特性や信頼性の低下を招くことが懸念されている。今回、RIEダメージに関する基礎的な知見を得る目的で、コンタクトホールのRIEを念頭に、酸化膜(SiO2)/シリコン(Si)スタックにおけるSiO2/Si界面の欠陥を、RIE後の残膜SiO2の膜厚に着目して調査したので報告する。