講演情報
[24a-61B-5]プラズマ誘起欠陥の発生と修復～RIE-SiO2に伴うSiO2/Si界面の欠陥評価～
〇布村 正太1、堤 隆嘉2、深沢 正永1、堀 勝2 (1.産総研、2.名大)
キーワード：
反応性イオンエッチング,酸化膜,ダメージ
先端半導体では、素子分離(STI)やゲートエッチ、コンタクトホールの形成に反応性イオンエッチング(RIE)が広く用いられる。このRIEでは、エッチングに必要なラジカルやイオンが制御され、設計上要求される加工形状や微細化が実現される。一方、直近のGAA-FET(gate-all-around field-effect transistor)等では、RIEにおける過剰なラジカル反応やイオン衝撃が下地層にダメージ（欠陥や不純物、アモルファス化等）を与え、デバイス特性や信頼性の低下を招くことが懸念されている。今回、RIEダメージに関する基礎的な知見を得る目的で、コンタクトホールのRIEを念頭に、酸化膜(SiO2)/シリコン(Si)スタックにおけるSiO2/Si界面の欠陥を、RIE後の残膜SiO2の膜厚に着目して調査したので報告する。