[24a-61B-1~8] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[24a-61B-8] Time-resolved measurement of negative ion energy distributions in pulsed plasma

〇(M2)Kazuki Toji¹, Takayoshi Tsutsumi², Shih-Nan Hsiao², Makoto Sekine², Masaru Hori², Kenji Ishikawa² (1.Nagoya Univ., Eng., 2.Center for Low-temperature Plasma Sciences, Nagoya Univ.)

Keywords:

pulsed plasma,negative ions

3D NAND フラッシュメモリーなどの半導体 3 次元構造化は、エッチングプロセスに 超高アスペクト比かつ形状異常がないホール構造の加工を要求する。パルスプラズマによって形 状異常が抑制され、その効果に負イオンの影響が示唆されているが、負イオンの詳細な影響は未解明である 。本研究では負イオンのエッチング材料表面への到達過程を考察 し、負イオンのエネルギー分布を四重極質量分析計（QMS）を用いて調べたので報告する。