[24a-61B-1~8] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

11:15 〜 11:30

[24a-61B-8] パルスプラズマにおける負イオンエネルギー分布の時間分解測定

〇(M2)都地 一輝¹、堤 隆嘉²、蕭 世男²、関根 誠²、堀 勝²、石川 健治² (1.名大院工、2.名大低温プラズマ科学研究センター)

キーワード：

パルスプラズマ,負イオン

3D NAND フラッシュメモリーなどの半導体 3 次元構造化は、エッチングプロセスに 超高アスペクト比かつ形状異常がないホール構造の加工を要求する。パルスプラズマによって形 状異常が抑制され、その効果に負イオンの影響が示唆されているが、負イオンの詳細な影響は未解明である 。本研究では負イオンのエッチング材料表面への到達過程を考察 し、負イオンのエネルギー分布を四重極質量分析計（QMS）を用いて調べたので報告する。