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[24p-12F-1][The 45th Paper Award Speech] Segregation sites for oxygen impurities at grain boundaries in Si revealed by LT-FIB
〇Yutaka Ohno1, Hideto Yoshida2, Shingo Tanaka3, Masanori Kohyama3, Koji Inoue1, Yasuo Shimizu1, Yasuyoshi Nagai1 (1.IMR, Tohoku Univ., 2.SANKEN, Osaka Univ., 3.AIST)
Keywords:
grain boundaries,silicon,oxygen segregation
粒界の不純物集積能は粒界を内包したナノサイズの針状試料を用いて3次元アトムプローブ法で評価できるが、任意の粒界を選択的に調べるにはFIB加工による試料作成が不可欠である。著者らは、粒界偏析した不純物がFIBの照射効果で内方拡散して3次元空間分布が変わること、その変調は -150℃での低温FIB加工により抑制できることを示した。この手法をシリコンの∑9{114}双晶界面に適用し、酸素不純物の集積サイトを精密評価した結果を報告する。