講演情報
[24p-12F-1][第45回優秀論文賞受賞記念講演] 低温FIB法を用いたシリコン粒界における酸素偏析サイトの精密評価
〇大野 裕1、吉田 秀人2、田中 真悟3、香山 正憲3、井上 耕治1、清水 康雄1、永井 康介1 (1.東北大金研、2.阪大産研、3.産総研)
キーワード：
粒界,シリコン,酸素偏析
粒界の不純物集積能は粒界を内包したナノサイズの針状試料を用いて3次元アトムプローブ法で評価できるが、任意の粒界を選択的に調べるにはFIB加工による試料作成が不可欠である。著者らは、粒界偏析した不純物がFIBの照射効果で内方拡散して3次元空間分布が変わること、その変調は -150℃での低温FIB加工により抑制できることを示した。この手法をシリコンの∑9{114}双晶界面に適用し、酸素不純物の集積サイトを精密評価した結果を報告する。