Presentation Information
[24p-12F-2]Formation process and function of asymmetric grain boundaries in silicon
〇Yutaka Ohno1, Hikaru Saito2, Jianbo Liang3, Naoteru Shigekawa3, Tatsuya Yokoi4, Katsuyuki Matsunaga4, Koji Inoue1, Yasuyoshi Nagai1, Satoshi Hata5 (1.IMR, Tohoku Univ., 2.IMCE, Kyushu Univ., 3.GSE, OMU, 4.GSE, Nagoya Univ., 5.IGSES, Kyushu Univ)
Keywords:
aymmetric grain boundary,silicon,dislocation sources
表面活性化接合法により粒界面がアモルファスのシリコン非対称粒界を作成し，加熱による接合面の再結晶化を高温STEM観察することで粒界形成過程を評価した．900℃程度までは結晶の原子配列を保持したまま再結晶化した準安定な界面構造が形成され，1000℃より高温で最安定な再構成構造へ変化するのが原子分解能で観察された．変化の過程を精査した結果，再構成構造が形成される過程で転位が発生することが示唆された．