講演情報
[24p-12F-2]シリコン非対称粒界の形成過程とその機能
〇大野 裕1、斉藤 光2、梁 剣波3、重川 直輝3、横井 達矢4、松永 克志4、井上 耕治1、永井 康介1、波多 聰5 (1.東北大金研、2.九大先導研、3.阪公大院工、4.名大院工、5.九大総合理工)
キーワード：
非対称粒界,シリコン,転位源
表面活性化接合法により粒界面がアモルファスのシリコン非対称粒界を作成し，加熱による接合面の再結晶化を高温STEM観察することで粒界形成過程を評価した．900℃程度までは結晶の原子配列を保持したまま再結晶化した準安定な界面構造が形成され，1000℃より高温で最安定な再構成構造へ変化するのが原子分解能で観察された．変化の過程を精査した結果，再構成構造が形成される過程で転位が発生することが示唆された．