[24p-12F-1~7] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)

[24p-12F-4] Three-dimensional structure of threading screw dislocation in 4H-SiC using 3D µ-X-ray topography

〇Kotaro Ishiji¹, Akio Yoneyama^1,2, Masayuki Inaba³, Kazunori Fukuda⁴, Atsushi Sakaki⁵, Shinya Ohmagari⁶, Ryuichi Sugie⁷ (1.SAGA-LS, 2.Hitachi, 3.Nissan ARC, 4.Kobelco RI, 5.Nichia, 6.AIST, 7.Toray RC)

Keywords:

Silicon Carbide,3D observation

3D µ-X 線 トポグラフィーを使ってSiC 結晶の貫通らせん転位(TSD)を三次元的に観察した。00012回折を用い、観察深さは90 µmであった。実験の結果、試料表面から内部に伝播するTSDの転位芯線の歪み場を捉えることに成功した。転位芯線が<0001>軸に平行なTSDだけでなく、<0001>軸から傾斜したTSDも確認された。前者は純粋なTSDだが、後者は混合成分を含むと推測される。