講演情報
[24p-12F-4]3D µ-X 線トポグラフィーを使った 4H-SiC の貫通らせん転位の三次元構造
〇石地 耕太朗1、米山 明男1,2、稲葉 雅之3、福田 一徳4、榊 篤史5、大曲 慎也6、杉江 隆一7 (1.九州シンクロ、2.日立、3.日産アーク、4.コベルコ科研、5.日亜化学、6.産総研、7.東レRC)
キーワード：
炭化ケイ素,3次元観察
3D µ-X 線 トポグラフィーを使ってSiC 結晶の貫通らせん転位(TSD)を三次元的に観察した。00012回折を用い、観察深さは90 µmであった。実験の結果、試料表面から内部に伝播するTSDの転位芯線の歪み場を捉えることに成功した。転位芯線が<0001>軸に平行なTSDだけでなく、<0001>軸から傾斜したTSDも確認された。前者は純粋なTSDだが、後者は混合成分を含むと推測される。