[24p-12G-1~14] 6.3 Oxide electronics

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[24p-12G-6] Fabrication of Solid-State Thermal Transistors based on High Electron Thermal Conductivity LaNiO₃ Films as Active Layers

〇(M1)Mitsuki Yoshimura¹, Haobo Li², Zhiping Bian¹, Ahrong Jeoung³, Yusaku Magari³, Hidekazu Tanaka², Hiromichi Ohta³ (1.IST-Hokkaido Univ., 2.SANKEN-Osaka Univ., 3.RIES-Hokkaido Univ.)

Keywords:

Thermal transistor,Thermal conductivity,LaNiO3

電気化学的に活性層の熱伝導率をon/off切換える「熱トランジスタ」は、熱のディスプレイなどの熱マネジメントデバイスとして期待されている。我々は2023年にSrCoO_x薄膜を活性層とした世界初の全固体熱トランジスタを実現したが、熱伝導率の変化幅が2.8 W m^-1 K^-1しかないという問題があった。本研究では、on状態の時に高い電子熱伝導率が期待されるLaNiO₃薄膜を活性層とすることで、熱導電率の変化幅が4.3 W m^-1 K^-1の全固体熱トランジスタの作製に成功した。